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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
62
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
26
读取速度,GB/s
4,216.7
18.5
写入速度,GB/s
1,658.4
14.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
3596
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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