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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
4,216.7
17.8
写入速度,GB/s
1,658.4
14.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
3258
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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