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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
62
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
23
读取速度,GB/s
4,216.7
17.1
写入速度,GB/s
1,658.4
12.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2960
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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