RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

总分
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

总分
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 62
    左右 -77% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 1,658.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    62 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    4,216.7 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    1,658.4 left arrow 10.4
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    688 left arrow 2672

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM的比较

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
内存RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
内存RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
内存RAM