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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
62
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
39
读取速度,GB/s
4,216.7
11.5
写入速度,GB/s
1,658.4
9.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
1881
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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