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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

总分
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 62
    左右 -44% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 1,658.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    62 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    4,216.7 left arrow 11.4
  • 写入速度，GB/s
    1,658.4 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    688 left arrow 2532

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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内存RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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内存RAM
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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内存RAM
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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