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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
62
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
36
读取速度,GB/s
4,216.7
15.0
写入速度,GB/s
1,658.4
10.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2657
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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