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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
4,402.8
17.0
写入速度,GB/s
2,013.5
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3209
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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