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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
68
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
34
读取速度,GB/s
4,402.8
16.7
写入速度,GB/s
2,013.5
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3284
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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