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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
68
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
33
读取速度,GB/s
4,402.8
15.0
写入速度,GB/s
2,013.5
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2637
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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