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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
68
左右 -209% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
22
读取速度,GB/s
4,402.8
17.5
写入速度,GB/s
2,013.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2748
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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