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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
68
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
35
读取速度,GB/s
4,402.8
15.3
写入速度,GB/s
2,013.5
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3090
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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