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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
68
左右 -240% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
20
读取速度,GB/s
4,402.8
19.7
写入速度,GB/s
2,013.5
16.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3465
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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