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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
4,402.8
16.9
写入速度,GB/s
2,013.5
11.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3167
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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