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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
68
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
35
读取速度,GB/s
4,402.8
15.0
写入速度,GB/s
2,013.5
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2672
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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