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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
68
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
38
读取速度,GB/s
4,402.8
15.3
写入速度,GB/s
2,013.5
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2346
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
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