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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
14,740.4
17.2
写入速度,GB/s
8,883.4
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3227
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
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