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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
14,740.4
18.3
写入速度,GB/s
8,883.4
16.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3849
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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