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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
14,740.4
18.3
写入速度,GB/s
8,883.4
16.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3849
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
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