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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
14,740.4
14.5
写入速度,GB/s
8,883.4
13.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3377
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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