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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston 9905678-043.A00G 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
14,740.4
15.3
写入速度,GB/s
8,883.4
10.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2645
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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