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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
14,740.4
17.2
写入速度,GB/s
8,883.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3311
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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