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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

总分
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

总分
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 44
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    14,740.4 left arrow 9.8
  • 写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2811 left arrow 2229

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Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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