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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
8,883.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
14,740.4
10.3
写入速度,GB/s
8,883.4
9.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
1651
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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