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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
14,740.4
15.2
写入速度,GB/s
8,883.4
11.8
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2913
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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