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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
50
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
8,883.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
50
读取速度,GB/s
14,740.4
10.6
写入速度,GB/s
8,883.4
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2393
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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