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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

总分
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

总分
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    44 left arrow 62
    左右 29% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB 需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.9 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 62
  • 读取速度，GB/s
    14,740.4 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2811 left arrow 1891

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston KY7N41-MID 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Corsair VS2GB1333D4 2GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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