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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
117
左右 -303% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,303.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
29
读取速度,GB/s
3,094.8
15.4
写入速度,GB/s
2,303.7
8.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2513
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAM的比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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