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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
117
左右 -333% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
27
读取速度,GB/s
3,094.8
17.8
写入速度,GB/s
2,303.7
14.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3386
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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