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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
117
左右 -154% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
46
读取速度,GB/s
3,094.8
16.0
写入速度,GB/s
2,303.7
12.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2660
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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