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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
117
左右 -244% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
34
读取速度,GB/s
3,094.8
15.9
写入速度,GB/s
2,303.7
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2927
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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