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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
117
左右 -368% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
25
读取速度,GB/s
3,094.8
16.8
写入速度,GB/s
2,303.7
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2889
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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