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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
68
左右 -240% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
20
读取速度,GB/s
3,554.9
19.0
写入速度,GB/s
1,670.7
15.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3549
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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