RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

总分
star star star star star
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 68
    左右 -58% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.6 left arrow 1,670.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    68 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    3,554.9 left arrow 12.8
  • 写入速度，GB/s
    1,670.7 left arrow 14.6
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 3050

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB RAM的比较

Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
内存RAM