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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
68
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
34
读取速度,GB/s
3,554.9
16.4
写入速度,GB/s
1,670.7
13.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3123
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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