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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 -162% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
26
读取速度,GB/s
3,554.9
13.5
写入速度,GB/s
1,670.7
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2157
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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