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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
68
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
66
读取速度,GB/s
3,554.9
16.5
写入速度,GB/s
1,670.7
9.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
1934
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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