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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
63
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
38
读取速度,GB/s
3,895.6
14.3
写入速度,GB/s
1,583.7
10.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2638
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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