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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
63
左右 -186% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
22
读取速度,GB/s
3,895.6
16.3
写入速度,GB/s
1,583.7
10.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2738
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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