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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
73
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.7
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
73
读取速度,GB/s
3,895.6
13.6
写入速度,GB/s
1,583.7
5.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
1439
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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