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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
66
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
66
读取速度,GB/s
3,895.6
16.5
写入速度,GB/s
1,583.7
9.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
1934
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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