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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.4
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,895.6
20.5
写入速度,GB/s
1,583.7
16.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
3616
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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