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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
12.3
12.8
写入速度,GB/s
7.3
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2089
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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