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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
12.3
17.7
写入速度,GB/s
7.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3117
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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