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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
12.3
12.2
写入速度,GB/s
7.3
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3199
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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