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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
7.3
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3155
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Mushkin 994083 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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