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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
40
读取速度,GB/s
12.3
19.2
写入速度,GB/s
7.3
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2674
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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