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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
7.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3179
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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