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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
12.3
20.0
写入速度,GB/s
7.3
15.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3561
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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