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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
7.3
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3733
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
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