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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
12.3
14.5
写入速度,GB/s
7.3
10.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2337
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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